Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRFB4310GPBF Datenblatt

IRFB4310GPBF Datenblatt
Total Pages: 8
Größe: 285,69 KB
Infineon Technologies
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: IRFB4310GPBF
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 1
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 2
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 3
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 4
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 5
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 6
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 7
IRFB4310GPBF Datenblatt Seite 8
IRFB4310GPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

130A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7mOhm @ 75A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

250nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7670pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3