Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

IRLD110 Datenblatt

IRLD110 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 1.627,76 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: IRLD110, IRLD110PBF
IRLD110 Datenblatt Seite 1
IRLD110 Datenblatt Seite 2
IRLD110 Datenblatt Seite 3
IRLD110 Datenblatt Seite 4
IRLD110 Datenblatt Seite 5
IRLD110 Datenblatt Seite 6
IRLD110 Datenblatt Seite 7
IRLD110 Datenblatt Seite 8
IRLD110 Datenblatt Seite 9
IRLD110

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)

IRLD110PBF

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

540mOhm @ 600mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.1nC @ 5V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

250pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.3W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Paket / Fall

4-DIP (0.300", 7.62mm)