IXBF20N360 Datenblatt
IXBF20N360 Datenblatt
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IXYS
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IXBF20N360
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 45A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 220A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.4V @ 15V, 20A Leistung - max 230W Schaltenergie 15.5mJ (on), 4.3mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 43nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/238ns Testbedingung 1500V, 20A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-5 Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
