IXBT42N170A Datenblatt
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Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 265A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 21A Leistung - max 357W Schaltenergie 3.43mJ (on), 430µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/200ns Testbedingung 850V, 21A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 330ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA Lieferantengerätepaket TO-268 |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 42A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 265A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 6V @ 15V, 21A Leistung - max 357W Schaltenergie 3.43mJ (on), 430µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 188nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 19ns/200ns Testbedingung 850V, 21A, 1Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 330ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXBH) |
