IXFN50N120SK Datenblatt
IXFN50N120SK Datenblatt
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IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXFN50N120SK
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V Vgs (th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 115nC @ 20V Vgs (Max) +20V, -5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1895pF @ 1000V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) - Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Lieferantengerätepaket SOT-227B Paket / Fall SOT-227-4, miniBLOC |
