IXFT30N85XHV Datenblatt
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Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2460pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 695W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-268 (IXFT) Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
Hersteller IXYS Serie HiPerFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 850V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 220mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5.5V @ 2.5mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 68nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2460pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 695W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXFH) Paket / Fall TO-247-3 |
