IXTT12N140 Datenblatt
IXTT12N140 Datenblatt
Total Pages: 4
Größe: 125,46 KB
IXYS
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
IXTT12N140
|
Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 1400V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 12A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 2Ohm @ 6A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 106nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3720pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 890W (Tc) Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TO-268 Paket / Fall TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
