IXTX4N300P3HV Datenblatt
IXTX4N300P3HV Datenblatt
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IXYS
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IXTX4N300P3HV
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Hersteller IXYS Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 3000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.5Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 139nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3680pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 960W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Lieferantengerätepaket TO-247PLUS-HV Paket / Fall TO-247-3 Variant |
