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KBL610G Datenblatt

KBL610G Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: KBL610G, KBL608G, KBL606G
KBL610G Datenblatt Seite 1
KBL610G Datenblatt Seite 2
KBL610G Datenblatt Seite 3
KBL610G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBL

Lieferantengerätepaket

KBL

KBL608G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBL

Lieferantengerätepaket

KBL

KBL606G

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

6A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 6A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBL

Lieferantengerätepaket

KBL