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KBU1010 Datenblatt

KBU1010 Datenblatt
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GeneSiC Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 3 Teilenummern: KBU1010, KBU1008, KBU1006
KBU1010 Datenblatt Seite 1
KBU1010 Datenblatt Seite 2
KBU1010 Datenblatt Seite 3
KBU1010

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

1kV

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 1000V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBU

Lieferantengerätepaket

KBU

KBU1008

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

800V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 800V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBU

Lieferantengerätepaket

KBU

KBU1006

GeneSiC Semiconductor

Hersteller

GeneSiC Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Single Phase

Technologie

Standard

Spannung - Peak Reverse (Max)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.05V @ 10A

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

4-SIP, KBU

Lieferantengerätepaket

KBU