L6387ED013TR Datenblatt
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Hersteller STMicroelectronics Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 17V (Max) Logikspannung - VIL, VIH 1.5V, 3.6V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 400mA, 650mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 50ns, 30ns Betriebstemperatur -45°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 17V (Max) Logikspannung - VIL, VIH 1.5V, 3.6V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 400mA, 650mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 50ns, 30ns Betriebstemperatur -45°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 8-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 8-DIP |
Hersteller STMicroelectronics Serie - Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Kanaltyp Independent Anzahl der Treiber 2 Gate-Typ IGBT, N-Channel MOSFET Spannung - Versorgung 17V (Max) Logikspannung - VIL, VIH 1.5V, 3.6V Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke) 400mA, 650mA Eingabetyp Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap) 600V Anstiegs- / Abfallzeit (Typ) 50ns, 30ns Betriebstemperatur -45°C ~ 125°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
