MB85R1001ANC-GE1 Datenblatt
MB85R1001ANC-GE1 Datenblatt
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Fujitsu Electronics
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MB85R1001ANC-GE1
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Hersteller Fujitsu Electronics America, Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FRAM Technologie FRAM (Ferroelectric RAM) Speichergröße 1Mb (128K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 150ns Zugriffszeit 150ns Spannung - Versorgung 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 48-TFSOP (0.488", 12.40mm Width) Lieferantengerätepaket 48-TSOP |
