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MB85RE4M2TFN-G-ASE1 Datenblatt

MB85RE4M2TFN-G-ASE1 Datenblatt
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Fujitsu Electronics
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: MB85RE4M2TFN-G-ASE1
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MB85RE4M2TFN-G-ASE1

Fujitsu Electronics

MB85RE4M2TFN-G-ASE1

Hersteller

Fujitsu Electronics America, Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FRAM

Technologie

FRAM (Ferroelectric RAM)

Speichergröße

4Mb (256K x 16)

Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

150ns

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)

Lieferantengerätepaket

44-TSOP