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MRF6V10010NR4 Datenblatt

MRF6V10010NR4 Datenblatt
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NXP
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Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

LDMOS

Frequenz

1.09GHz

Gewinn

25dB

Spannungstest

50V

Nennstrom (Ampere)

-

Rauschzahl

-

Stromtest

10mA

Leistung - Leistung

10W

Spannung - Nennspannung

100V

Paket / Fall

PLD-1.5

Lieferantengerätepaket

PLD-1.5