Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt

MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt
Total Pages: 148
Größe: 7.275,08 KB
Micron Technology Inc.
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 1
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 2
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 3
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 4
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 5
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 6
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 7
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 8
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 9
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 10
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 11
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 12
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 13
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 14
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 15
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 16
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 17
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 18
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 19
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 20
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 21
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 22
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR Datenblatt Seite 23
···
MT42L64M64D2LL-18 WT:C TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (64M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-30°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

216-WFBGA

Lieferantengerätepaket

216-FBGA (12x12)

MT42L64M64D2LL-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

4Gb (64M x 64)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

216-WFBGA

Lieferantengerätepaket

216-FBGA (12x12)

MT42L64M32D1TK-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)

MT42L64M32D1TK-18 AAT:C TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

134-WFBGA

Lieferantengerätepaket

134-FBGA (10x11.5)

MT42L64M32D1LF-18 IT:C TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

DRAM

Technologie

SDRAM - Mobile LPDDR2

Speichergröße

2Gb (64M x 32)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

533MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.14V ~ 1.3V

Betriebstemperatur

-25°C ~ 85°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

168-TFBGA

Lieferantengerätepaket

168-FBGA (12x12)