MT47H128M4SH-25E:H TR Datenblatt
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (32M x 16) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 350ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 84-TFBGA Lieferantengerätepaket 84-FBGA (8x12.5) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 512Mb (64M x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 350ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 60-TFBGA Lieferantengerätepaket 60-FBGA (8x10) |
