MT47H512M4THN-25E:M Datenblatt
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Micron Technology Inc.
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern:
MT47H512M4THN-25E:M, MT47H512M4THN-25E:M TR
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 63-TFBGA Lieferantengerätepaket 63-FBGA (8x10) |
Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Volatile Speicherformat DRAM Technologie SDRAM - DDR2 Speichergröße 2Gb (512M x 4) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 15ns Zugriffszeit 400ps Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 63-TFBGA Lieferantengerätepaket 63-FBGA (8x10) |
