Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NCD5702DR2G Datenblatt

NCD5702DR2G Datenblatt
Total Pages: 18
Größe: 671,29 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NCD5702DR2G
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 1
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 2
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 3
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 4
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 5
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 6
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 7
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 8
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 9
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 10
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 11
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 12
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 13
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 14
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 15
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 16
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 17
NCD5702DR2G Datenblatt Seite 18
NCD5702DR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Single

Anzahl der Treiber

1

Gate-Typ

IGBT

Spannung - Versorgung

5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

0.75V, 4.3V

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

7.8A, 6.8A

Eingabetyp

Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

-

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

9.2ns, 7.9ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC