Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NDS8435A Datenblatt

NDS8435A Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 197,9 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NDS8435A
NDS8435A Datenblatt Seite 1
NDS8435A Datenblatt Seite 2
NDS8435A Datenblatt Seite 3
NDS8435A Datenblatt Seite 4
NDS8435A Datenblatt Seite 5
NDS8435A Datenblatt Seite 6
NDS8435A Datenblatt Seite 7
NDS8435A

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.9A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

23mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

67nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1800pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)