NGTB45N60S2WG Datenblatt
NGTB45N60S2WG Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NGTB45N60S2WG
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Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 90A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 180A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 45A Leistung - max 300W Schaltenergie 360µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 135nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. -/151ns Testbedingung 400V, 45A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 498ns Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247-3 |
