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NLAS5113DFT2G Datenblatt

NLAS5113DFT2G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: NLAS5113DFT2G, NLAS5113MUTBG
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NLAS5113DFT2G Datenblatt Seite 6
NLAS5113DFT2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.3Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 4.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

7ns, 4.5ns

-3db Bandbreite

457MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

14pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Lieferantengerätepaket

SC-88/SC70-6/SOT-363

NLAS5113MUTBG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Schaltkreis

SPST - NO

Multiplexer / Demultiplexer-Schaltung

1:1

Anzahl der Schaltkreise

1

Widerstand im eingeschalteten Zustand (max.)

1.3Ohm

Channel-to-Channel-Matching (ΔRon)

-

Spannung - Versorgung, einfach (V +)

1.65V ~ 4.5V

Spannungsversorgung, Dual (V ±)

-

Schaltzeit (Tonne, Toff) (max.)

7ns, 4.5ns

-3db Bandbreite

457MHz

Ladungsinjektion

-

Kanalkapazität (CS (aus), CD (aus))

14pF

Strom - Leckage (IS (aus)) (max.)

100nA

Übersprechen

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Paket / Fall

6-UFDFN

Lieferantengerätepaket

6-UDFN (1.2x1)