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NSVMMBD352WT1G Datenblatt

NSVMMBD352WT1G Datenblatt
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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: NSVMMBD352WT1G, MMBD352WT1G
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NSVMMBD352WT1G Datenblatt Seite 3
NSVMMBD352WT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodenkonfiguration

1 Pair Series Connection

Diodentyp

Schottky

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

7V

Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) (pro Diode)

10mA (DC)

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

600mV @ 10mA

Geschwindigkeit

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 7V

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SOT-323

MMBD352WT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Diodentyp

Schottky - 1 Pair Series Connection

Spannung - Peak Reverse (Max)

7V

Strom - max

-

Kapazität @ Vr, F.

1pF @ 0V, 1MHz

Widerstand @ If, F.

-

Verlustleistung (max.)

200mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Paket / Fall

SC-70, SOT-323

Lieferantengerätepaket

SC-70-3 (SOT323)