Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

NTMFS5H630NLT1G Datenblatt

NTMFS5H630NLT1G Datenblatt
Total Pages: 6
Größe: 128,11 KB
ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NTMFS5H630NLT1G
NTMFS5H630NLT1G Datenblatt Seite 1
NTMFS5H630NLT1G Datenblatt Seite 2
NTMFS5H630NLT1G Datenblatt Seite 3
NTMFS5H630NLT1G Datenblatt Seite 4
NTMFS5H630NLT1G Datenblatt Seite 5
NTMFS5H630NLT1G Datenblatt Seite 6
NTMFS5H630NLT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-