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NTMS4917NR2G Datenblatt

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ON Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: NTMS4917NR2G
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NTMS4917NR2G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 11A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.6nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1054pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

880mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)