NVB082N65S3F Datenblatt
NVB082N65S3F Datenblatt
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ON Semiconductor
Website: http://www.onsemi.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
NVB082N65S3F
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Hersteller ON Semiconductor Serie * FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 82mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 81nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3410pF @ 400V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 313W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D²PAK-3 (TO-263-3) Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
