PHB32N06LT Datenblatt
PHB32N06LT Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 851,58 KB
Nexperia
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PHB32N06LT,118
|
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie TrenchMOS™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 5V Vgs (Max) ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1280pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 97W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D2PAK Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
