Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

PHD16N03LT Datenblatt

PHD16N03LT Datenblatt
Total Pages: 12
Größe: 92,88 KB
NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: PHD16N03LT,118
PHD16N03LT Datenblatt Seite 1
PHD16N03LT Datenblatt Seite 2
PHD16N03LT Datenblatt Seite 3
PHD16N03LT Datenblatt Seite 4
PHD16N03LT Datenblatt Seite 5
PHD16N03LT Datenblatt Seite 6
PHD16N03LT Datenblatt Seite 7
PHD16N03LT Datenblatt Seite 8
PHD16N03LT Datenblatt Seite 9
PHD16N03LT Datenblatt Seite 10
PHD16N03LT Datenblatt Seite 11
PHD16N03LT Datenblatt Seite 12

Hersteller

NXP USA Inc.

Serie

TrenchMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

67mOhm @ 16A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±15V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 30V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

32.6W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63