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PHE13009 Datenblatt

PHE13009 Datenblatt
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WeEn Semiconductors
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: PHE13009,127, PHE13009/DG,127
PHE13009 Datenblatt Seite 1
PHE13009 Datenblatt Seite 2
PHE13009 Datenblatt Seite 3
PHE13009 Datenblatt Seite 4
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PHE13009 Datenblatt Seite 7
PHE13009 Datenblatt Seite 8
PHE13009,127

WeEn Semiconductors

PHE13009,127

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.6A, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 5A, 5V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB
PHE13009/DG,127

WeEn Semiconductors

PHE13009/DG,127

Hersteller

WeEn Semiconductors

Serie

-

Transistortyp

NPN

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

12A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

400V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

2V @ 1.6A, 8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

8 @ 5A, 5V

Leistung - max

80W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB