PMDPB42UN Datenblatt
PMDPB42UN Datenblatt
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NXP
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PMDPB42UN,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.9A Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.9A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 185pF @ 10V Leistung - max 510mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-UDFN Exposed Pad Lieferantengerätepaket DFN2020-6 |
