PMEM4030NS Datenblatt
PMEM4030NS Datenblatt
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NXP
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
PMEM4030NS,115
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Hersteller NXP USA Inc. Serie - Transistortyp NPN + Diode (Isolated) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 370mV @ 300mA, 3A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 200 @ 1A, 2V Leistung - max 1W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SO |
