QS5U36TR Datenblatt
QS5U36TR Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
QS5U36TR
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 81mOhm @ 2.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.3V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4.5V Vgs (Max) ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 10V FET-Funktion Schottky Diode (Isolated) Verlustleistung (max.) 1.25W (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT5 Paket / Fall SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 |
