RJH1CV7DPQ-E0#T2 Datenblatt
RJH1CV7DPQ-E0#T2 Datenblatt
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Renesas Electronics America
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RJH1CV7DPQ-E0#T2
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Hersteller Renesas Electronics America Serie - IGBT-Typ Trench Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 70A Strom - Kollektor gepulst (Icm) - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 35A Leistung - max 320W Schaltenergie 3.2mJ (on), 2.5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 166nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 53ns/185ns Testbedingung 600V, 35A, 5Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 200ns Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247 |
