RQ1E050RPTR Datenblatt
RQ1E050RPTR Datenblatt
Total Pages: 12
Größe: 2.422,93 KB
Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
RQ1E050RPTR
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0001.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0002.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0003.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0004.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0005.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 6](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0006.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 7](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0007.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 8](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0008.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 9](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0009.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 10](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0010.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 11](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0011.webp)
![RQ1E050RPTR Datenblatt Seite 12](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/26/rq1e050rptr-0012.webp)
Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ P-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 31mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 700mW (Ta) Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket TSMT8 Paket / Fall 8-SMD, Flat Lead |