+86-0755-83210135

Send Message

Need Help?
Send Message

Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.
Anmelden Deutsch USD
Warenkorb 0 Artikel Stückliste hochladen Sparen Sie Zeit

RQ3E130MNTB1 Datenblatt

RQ3E130MNTB1 Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 572,62 KB
Rohm Semiconductor
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: RQ3E130MNTB1
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 1
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 2
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 3
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 4
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 5
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 6
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 7
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 8
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 9
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 10
RQ3E130MNTB1 Datenblatt Seite 11
RQ3E130MNTB1

Rohm Semiconductor

RQ3E130MNTB1

Hersteller

Rohm Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

13A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.1mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

8-HSMT (3.2x3)

Paket / Fall

8-PowerVDFN