RQ3E180BNTB Datenblatt
RQ3E180BNTB Datenblatt
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Rohm Semiconductor
Website: https://www.rohm.com/
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RQ3E180BNTB
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Hersteller Rohm Semiconductor Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 39A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9mOhm @ 18A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 37nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta), 20W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3) Paket / Fall 8-PowerVDFN |
