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SI1058X-T1-GE3 Datenblatt

SI1058X-T1-GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: SI1058X-T1-GE3, SI1058X-T1-E3
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SI1058X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

91mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

236mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

SI1058X-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

91mOhm @ 1.3A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.55V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.9nC @ 5V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

380pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

236mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SC-89-6

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666