SI1902CDL-T1-GE3 Datenblatt
SI1902CDL-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 11
Größe: 239,2 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI1902CDL-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 1.1A Rds On (Max) @ Id, Vgs 235mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 62pF @ 10V Leistung - max 420mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SC-70-6 (SOT-363) |
