Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt

SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 237,65 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SI2369DS-T1-GE3
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SI2369DS-T1-GE3 Datenblatt Seite 10
SI2369DS-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 5.4A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

36nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1295pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.25W (Ta), 2.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-236

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3