Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt

SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 187,1 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: SI3456BDV-T1-GE3, SI3456BDV-T1-E3
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SI3456BDV-T1-GE3 Datenblatt Seite 10
SI3456BDV-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3456BDV-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.1W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

6-TSOP

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6