SI3458DV-T1-E3 Datenblatt
SI3458DV-T1-E3 Datenblatt
Total Pages: 5
Größe: 85,66 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SI3458DV-T1-E3
![SI3458DV-T1-E3 Datenblatt Seite 1](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/si3458dv-t1-e3-0001.webp)
![SI3458DV-T1-E3 Datenblatt Seite 2](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/si3458dv-t1-e3-0002.webp)
![SI3458DV-T1-E3 Datenblatt Seite 3](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/si3458dv-t1-e3-0003.webp)
![SI3458DV-T1-E3 Datenblatt Seite 4](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/si3458dv-t1-e3-0004.webp)
![SI3458DV-T1-E3 Datenblatt Seite 5](http://pneda.ltd/static/datasheets/images/23/si3458dv-t1-e3-0005.webp)
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 3.2A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2W (Ta) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket 6-TSOP Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |