Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt

SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 133,98 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: SI4501ADY-T1-GE3, SI4501ADY-T1-E3
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SI4501ADY-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SI4501ADY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A, 4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

SI4501ADY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N and P-Channel, Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V, 8V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.3A, 4.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

18mOhm @ 8.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.3W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO