Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt

SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 7
Größe: 90,46 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: SI7664DP-T1-GE3, SI7664DP-T1-E3
SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SI7664DP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SI7664DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7770pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8

SI7664DP-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.1mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V

Vgs (Max)

±12V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

7770pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8