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SI9912DY-T1-E3 Datenblatt

SI9912DY-T1-E3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 2 Teilenummern: SI9912DY-T1-E3, SI9912DY-E3
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SI9912DY-T1-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

30V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

30ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

SI9912DY-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

Angetriebene Konfiguration

Half-Bridge

Kanaltyp

Synchronous

Anzahl der Treiber

2

Gate-Typ

N-Channel MOSFET

Spannung - Versorgung

4.5V ~ 5.5V

Logikspannung - VIL, VIH

-

Strom - Spitzenleistung (Quelle, Senke)

1A, 1A

Eingabetyp

Non-Inverting

High Side Voltage - Max (Bootstrap)

30V

Anstiegs- / Abfallzeit (Typ)

30ns, 20ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC