Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt

SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 229,2 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIB408DK-T1-GE3
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SIB408DK-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SIB408DK-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

40mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

350pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.4W (Ta), 13W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SC-75-6L Single

Paket / Fall

PowerPAK® SC-75-6L