Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt

SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 372,47 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIR882ADP-T1-GE3
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 10
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 11
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 12
SIR882ADP-T1-GE3 Datenblatt Seite 13
SIR882ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

60A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.8V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1975pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.4W (Ta), 83W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® SO-8

Paket / Fall

PowerPAK® SO-8