Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt

SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 13
Größe: 556,81 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: SIS892DN-T1-GE3
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 1
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 2
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 3
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 4
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 5
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 6
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 7
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 8
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 9
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 10
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 11
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 12
SIS892DN-T1-GE3 Datenblatt Seite 13
SIS892DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

611pF @ 50V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.7W (Ta), 52W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8