SISF00DN-T1-GE3 Datenblatt
SISF00DN-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 9
Größe: 277,68 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SISF00DN-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) Common Drain FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 53nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 15V Leistung - max 69.4W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® 1212-8SCD Lieferantengerätepaket PowerPAK® 1212-8SCD |
