SIZ322DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZ322DT-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 10
Größe: 334,54 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZ322DT-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 25V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.35mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20.1nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 950pF @ 12.5V Leistung - max 16.7W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-Power33 (3x3) |
