SIZF920DT-T1-GE3 Datenblatt
SIZF920DT-T1-GE3 Datenblatt
Total Pages: 14
Größe: 270,65 KB
Vishay Siliconix
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern:
SIZF920DT-T1-GE3
|
Hersteller Vishay Siliconix Serie TrenchFET® Gen IV FET-Typ 2 N-Channel (Dual), Schottky FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 28A (Ta), 76A (Tc), 49A (Ta), 197A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.07mOhm @ 10A, 10V, 1.05mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 10V, 125nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 15V, 5230pF @ 15V Leistung - max 3.9W (Ta), 28W (Tc), 4.5W (Ta), 74W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-PowerWDFN Lieferantengerätepaket 8-PowerPair® (6x5) |
