SQ3585EV-T1_GE3 Datenblatt
SQ3585EV-T1_GE3 Datenblatt
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Vishay Siliconix
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SQ3585EV-T1_GE3
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Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 3.57A (Tc), 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 77mOhm @ 1A, 4.5V, 166mOhm @ 1A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 4.5V, 3.5nC @ 4.5V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max 1.67W Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Lieferantengerätepaket 6-TSOP |
